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网络释义：全耗尽绝缘体上硅(Fully Depleted Sipcon-on-Insulator)；全耗尽绝缘硅；空乏型绝缘矽

网络释义

1.全耗尽绝缘体上硅(Fully Depleted Sipcon-on-Insulator)资3.6亿欧元（约合4.65亿美元）的项目，以促进全耗尽绝缘体上硅（FDSOI）制造工艺在欧洲实现产业化。

2.全耗尽绝缘硅美元)的《Places2Be》晶圆厂计画，期望支持全耗尽型绝缘上覆矽(FDSOI)制造制程产线迈向产业化。

6.空乏型绝缘层覆矽途径──英特尔称为三闸极(tri-gate)、完全耗尽绝缘上覆矽(FDSOI)技术，以及在20nm及更先进节点上的大量平面制程最新进 …