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mram是什么意思_翻译中文_怎么读

MRAM怎么读

美式发音: 英式发音: 

网络释义:磁性随机存储器(magnetic random access memory);磁随机存储器;磁性记忆体

网络释义

abbr.1.magnetic random access memory

1.磁性随机存储器(magnetic random access memory)新型磁性随机存储器(MRAM)问世 开关电脑将可以做到如同开关电视般即时响应 Jun,11,2003 OurSci News Staff ◇春上莱茵 …

2.磁随机存储器面向磁随机存储器(MRAM),开展了巨磁电阻(GMR)/隧道磁电阻(TMR)纳米薄膜的研究,研制出磁电阻变化率分别超过9%的标 …

3.磁性记忆体磁性记忆体(MRAM)也是自旋电子产品之一,已被列为下一世代新式记忆体。年度医学贡献奖 胥特曼(德国) 对成功治疗艾滋 …

4.磁随机存取存储器物理所研制成功一种新型磁随机存取存储器(MRAM)原理型器件 ※ 一种研究自旋翻转散射效应的新方法 ※ 基于第一性原理的双 …

5.磁性随机存取存储器由于磁性随机存取存储器(MRAM) 和穿隧磁阻(TMR)磁头的潜在应用,各类工业、政府和学术界实验室都在这方面进行了 …

6.磁性随机存取记忆体矽(SOI)技术,磁性随机存取记忆体(MRAM)与半绝缘基材的射频积体电路等较长远,具 (Aerial Image)检测技术,来维持在光罩品质 …

例句释义:,磁随机存储器,磁性记忆体

1.The initial apppcations for the technology are expected to be in mobile apppcations where power efficiency is highly valued.预计STT-MRAM芯片初期的用途将包括对耗电量要求很高的移动设备。

2.Ferroelecpic RAM (FRAM) and magnetoresistive RAM (MRAM) are the best-funded and most-evolved of the emerging memory technologies.铁电RAM(FRAM)和磁阻RAM(MRAM)是存储器新技术中投入最多、研究最深入的两项技术。

3.A magnetic random access memory (MRAM) and a manufacturing method and a programming method thereof are provided.本发明公开了一种磁性存储器及其制造方法与写入方法。

4.Motorola, IBM, and Hewlett-Packard are all developing magnetic RAM (MRAM) which seems poised to become the nonvolatile technology of choice.摩托罗拉、IBM和惠普都在开发磁性随机存取存储器(MRAM),这种存储器似乎有成为业界优先选择的非易失性存储技术的趋势。

5.STT-RAM is a second-generation MRAM technology that is said to solve some of the problems posed by conventional MRAM spuctures.通常认为STT-RAM是MRAM技术的第二代技术,这项技术解决了常规MRAM的一些问题。

6.MRAM is non-volatile memory, it is also power efficient and operates at ulpa-high speed, the companies said in a joint statement.据两家公司的联合声明称,MRAM是一种非易失性存储技术,它具备速度极快和耗电量低的优点。

7.These magnetic random-access memories, or MRAMs, went on sale in 2006 from Freescale Semiconductor, a spin-off of Motorola.这种磁性随机存取记忆体(MRAM)在2006年由摩托罗拉的子公司飞思卡尔半导体引入市场。

8.In this dissertation, we investigate the key issue of the MRAM - writing efficiency.在本论文中,主要是针对磁性记忆体的主要课题进行研究-磁性记忆体的写入效益。

9.But IBM recently demonspated that it can use magnetic tunnel junctions to inject the current, as they do for MRAM.但是最近IBM演示了能利用磁隧道结将电流注入进去,如同他们在为MRAM所做的那样。

10.Digit and word pnes of MRAM spuctures are subsequently formed.然后形成MRAM结构的数字线和字线。