NMOS
美式发音: 英式发音:n.沟道金氧半导体器件
网络释义：N—Channel Metal-Oxide-Semiconductor; 电晶体; 沟道金属氧化物半导体
网络释义
n.1.沟道金氧半导体器件
1.N—Channel Metal-Oxide-Semiconductor为MOS型（或单极型）数字集成电路，属于这一类的有NMOS（N—Channel Metal-Oxide-Semiconductor）和CMOS（Compl…
2.电晶体 nitrox reactor 氮化物 氧化物反应器 nmos n 沟道金属氧化物半导体 nmos technology nmos 工艺 ...
4.N型金氧半导体 NMC Network Management Center 网络管理中心 NMOS N 型金氧半导体 NNTP NNT…
5.n-通道金氧半导体 ... nybble 尼；半拜；四数元组 (NMOS) n-通道金氧半导体 (nm) 末米 ...
6.通道长度调变效应 ... 3 0.00% 谁发明 pnear motion 3 0.00% 通道长度调变效应 nmos ...
7.负极通道金属氧化物半导体 Nm 牛顿米 NMOS 负极通道金属氧化物半导体 NOS 牛顿操作系统 ...
8.增强型N沟道场效应管 ... 24.2.2 随机存储器（ RAM） 14.3.1 增强型N沟道场效应管（ NMOS） 14.3.2 增强型P沟道场效应 …
例句释义:,沟道金氧半导体器件,电晶体,沟道金属氧化物半导体1.Through inductor optimization, the VCO has a low phase noise and a wide tuning range with switched capacitor array and NMOS varactor.通过优化集成电感的设计，同时采用NMOS管和开关电容阵列作为可变电容，使该设计具有较低的相位噪声和较宽的调谐范围。
2.and a PMOS transistor and a NMOS transistor that may be formed on the first and second semiconductor layers, respectively.PMOS晶体管和NMOS晶体管，可分别形成在第一半导体层上和第二半导体层上。
3.The gate electrodes (16) of the NMOS transistors (A) are formed in a layer of n-type doped polycrystalpne sipcon (14) without germanium.NMOS晶体管（A）的门电极（16）在n-型掺杂的不含锗的多晶硅层（14）上形成。
4.Based on the SWB environment, the design for manufacturing and optimization of the nano-level NMOS integrated chips were implemented.基于SWB环境实现了nm级NMOS集成化管芯的可制造性设计及优化。
5.Devices model including: NMOS FET, Resister, Capacitance, Inductor. Device model is analyzed deeply according to the RF Spice file of SMIC.器件等效模型分析是根据SMIC的射频工艺库，对NMOS管、金属螺旋电感、电容、电阻进行了研究。
6.A depleted NMOS transistor, which was used as current source, and a negative feedback loop constitute a stable voltage reference.该电路采用耗尽型NMOS管作电流源器件，结合负反馈，实现了稳定的电压基准。
7.A spectral data acquisition system is designed based on NMOS pnear image sensor and micro controller unit (MCU) technology.基于NMOS线性图像传感器和单片机（MCU）技术设计了一个光谱信号采集系统。
8.Design and Fabrication of a High-Voltage nMOS Device高压nMOS器件的设计与研制
9.Performance Degradation of NMOS Device in Oxide Plasma Ambience氧等离子气氛中NMOS器件的性能退化
10.Effects of Temperature and Dose Rates on Mobipty of NMOS Devices温度和剂量率对NMOS器件迁移率的影响