hemt
网络释义：高电子迁移率晶体管(High Electron Mobipty Transistor)；高电子迁移率电晶体；高电子迁移率管
网络释义
1.高电子迁移率晶体管(High Electron Mobipty Transistor)其中高电子迁移率晶体管(HEMT)的低噪声性能比场效应管更优 越，运用这种器件设计成低噪声放大器，在C 波段噪声温度可达…
2.高电子迁移率电晶体采用0.15微米高电子迁移率电晶体(HEMT)制程制造的SHM面积为1.3mm2，其输出为5至6GHz的IF讯号，变频增益大约为2dB …
3.高电子迁移率管高电子迁移率管 （HEMT）和赝配高电子迁移率管（PHEMT）都是由场金属半导体场效应管演化发 展而来。 当栅极电压为零 …
4.高迁移率晶体管 ? 可以以来制造高迁移率晶体管(HEMT)和2维电 子气场效应管（TEGFET）。 无限深一维方势阱 ? 薛定格方程 h 2 ? 2ψ ( x
5.高电子迁移率场效应晶体管在工作频率1～12吉赫下,噪声系数仅0.5～1.4分贝。异质结高电子迁移率场效应晶体管(HEMT)工作频率更高、噪声更低。
6.率电晶体(High Electron Mobipty Transistors)在本篇论文中，为了改善传统高电子移动率电晶体 (HEMT)闸极电压摆幅太小的问题，我们采用了以磷化铟为基板并具有反向渐 …
例句释义:,高电子迁移率电晶体,高电子迁移率管1.The model provides a valuable tool for the optimization and performance prediction of the double planar doped HEMT.该模型为优化和预测双平面掺杂HEMT器件性能提供了一个有效手段。
2.Operation temperature and thickness of spacer both have great effect on the electrical properties of HEMT.材料的工作温度和空间隔离层厚度对HEMT的电学性能都有很大的影响。
3.In one aspect, selective fluorine ion implantation is employed when developing HEMTs to create the enhanced back barrier structures.在一个方面，在制备HEMT时可以利用选择性的氟离子注入来产生增强背势垒的结构。
4.At last, the effect of rapid thermal anneapng on the electrical properties of HEMT material is studied.最后我们研究了快速退火对HEMT材料电学性能的影响。